在AI基礎設施建設熱潮帶動DRAM需求激增，全球內存供應鏈瓶頸持續(xù)凸顯的背景下定安泡沫板橡塑板專用膠，Intel正計劃重返闊別40年的DRAM內存市場。

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據悉，Intel將與軟銀旗下子公司Saimemory達成度作，聯開發(fā)名為ZAM（Z-angle memory，Z角內存）的下代內存新技術，其單芯片容量可達512GB，功耗較當前主流的HBM內存降低40至50，有望重塑AI時代全球內存市場的競爭格局。

當前，全球AI大模型訓練、大規(guī)模數據中心運等場景，動力需求呈指數攀升，速內存已成為AI硬件體系的核心支撐。

ZAM內存技術的核心競爭力源于其創(chuàng)新的架構設計。不同于傳統(tǒng)內存的垂直布線模式，該技術采用交錯互連拓撲結構，以對角線“Z字形”布線優(yōu)化芯片堆疊布局，搭配銅-銅混鍵技術實現層間融，終形成類似單片芯片的體化硅塊結構。

同時，ZAM技術采用電容設計，通過Intel成熟的EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）技術實現與AI芯片的速連接，保溫護角專用膠既簡化了制造工藝流程，又能有提升存儲密度、降低芯片熱阻。

相較于當前AI域主流的HBM內存，ZAM技術的優(yōu)勢十分突出。其單芯片容量可達512GB，大幅越當前主流HBM產品。功耗降低40-50，可解決AI數據中心能耗企的行業(yè)痛點。而Z形互連設計能簡化制造流程，為后續(xù)規(guī)?；慨a奠定堅實基礎。

值得提的是，這并非Intel次涉足DRAM域。早年間，Intel曾是DRAM市場的重要參與者，但受日本廠商激烈競爭沖擊，市場份額持續(xù)下滑，終于1985年退出該賽道。

如今，AI產業(yè)的爆發(fā)為內存技術帶來了全新發(fā)展機遇，Intel憑借自身在封裝、芯片堆疊域的厚技術積累，計劃憑借ZAM技術重獲內存市場話語權。

不過，其終能否成功突圍，關鍵仍在于能否說服NVIDIA等行業(yè)軍企業(yè)采用該技術，破現有市場格局。